BJT vs SCR
Både BJT (Bipolar Junction Transistor) og SCR (Silicon Controlled Rectifier) er halvlederenheter med alternerende P-type og N-type halvlederlag. De brukes i mange bytteapplikasjoner på grunn av mange årsaker som effektivitet, lave kostnader og liten størrelse. Begge er tre terminalenheter, og de gir et godt kontrollområde for strøm med en liten kontrollstrøm. Begge disse enhetene har applikasjonsavhengige fordeler.
Bipolar Junction Transistor (BJT)
BJT er en type transistor, og den består av to PN-kryss (et knutepunkt laget ved å koble en halvleder av p-type og en halvleder av n-type). Disse to koblingene dannes ved å koble sammen tre halvlederstykker i rekkefølgen P-N-P eller N-P-N. Det for to typer BJT-er kjent som PNP og NPN.
Tre elektroder er koblet til disse tre halvlederdelene, og den midterste ledningen kalles 'base'. Andre to veikryss er 'emitter' og 'collector'.
I BJT styres strømmen av storkollektor-emitter (Ic) av den lille basis-emitterstrømmen (IB), og denne egenskapen er utnyttet til å designe forsterkere eller brytere. Der for det kan betraktes som en strømdrevet enhet. BJT brukes mest i forsterkerkretser.
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
SCR er en type tyristor, og mye brukt i nåværende rettingsapplikasjoner. SCR er laget av fire alternerende halvlederlag (i form av P-N-P-N) og består derfor av tre PN-kryss. I analyse betraktes dette som et tett koblet par BJT-er (en PNP og en annen i NPN-konfigurasjon). De ytterste halvlederlagene av P- og N-typen kalles henholdsvis anode og katode. Elektroden koblet til det indre halvlederlaget av P-typen er kjent som "porten".
I drift virker SCR ledende når en puls gis til porten. Den fungerer enten i "på" eller "av" tilstand. Når porten er utløst med en puls, går SCR til "på"-tilstand og fortsetter å lede til foroverstrømmen blir mindre enn terskelverdien kjent som "holdestrøm".
SCR er en kraftenhet, og de fleste gangene brukes den i applikasjoner der høye strømmer og spenninger er involvert. Den mest brukte SCR-applikasjonen er å kontrollere (likrette opp) vekselstrømmer.
Kort sagt:
Forskjellen mellom BJT og SCR
1. BJT har bare tre lag med halvledere, mens SCR har fire lag av dem.
2. Tre terminaler av BJT er kjent som emitter, kollektor og base, mens SCR har terminaler kjent som anode, katode og gate
3. SCR betraktes som et tett koplet transistorpar i analyse.
