BJT vs FET
Både BJT (Bipolar Junction Transistor) og FET (Field Effect Transistor) er to typer transistorer. Transistor er en elektronisk halvlederenhet som gir et stort sett skiftende elektrisk utgangssignal for små endringer i små inngangssignaler. På grunn av denne kvaliteten kan enheten brukes som enten en forsterker eller en bryter. Transistor ble utgitt på 1950-tallet og kan betraktes som en av de viktigste oppfinnelsene på 1900-tallet med tanke på dens bidrag til utviklingen av IT. Ulike typer arkitekturer for transistorer har blitt testet.
Bipolar Junction Transistor (BJT)
BJT består av to PN-kryss (et knutepunkt laget ved å koble en halvleder av p-type og en halvleder av n-type). Disse to koblingene er dannet ved å koble tre halvlederstykker i rekkefølgen P-N-P eller N-P-N. Det er tilgjengelig for to typer BJT-er kjent som PNP og NPN.
Tre elektroder er koblet til disse tre halvlederdelene og den midterste ledningen kalles 'base'. Andre to veikryss er 'emitter' og 'collector'.
I BJT styres strømmen av stor kollektoremitter (Ic) av den lille basisemitterstrømmen (IB), og denne egenskapen utnyttes til å designe forsterkere eller brytere. Der for det kan betraktes som en strømdrevet enhet. BJT brukes mest i forsterkerkretser.
Field Effect Transistor (FET)
FET er laget av tre terminaler kjent som 'Gate', 'Source' og 'Drain'. Her styres avløpsstrømmen av portspenningen. Derfor er FET-er spenningskontrollerte enheter.
Avhengig av typen halvleder som brukes for source og drain (i FET er begge laget av samme halvledertype), kan en FET være en N-kanal eller P-kanal enhet. Kilde for å tappe strømstrømmen kontrolleres ved å justere kanalbredden ved å påføre en passende spenning til porten. Det er også to måter å kontrollere kanalbredden på, kjent som uttømming og forbedring. Derfor er FET-er tilgjengelige i fire forskjellige typer, for eksempel N-kanal eller P-kanal, med enten utarmings- eller forbedringsmodus.
Det finnes mange typer FET-er som MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET), HEMT (High Electron Mobility Transistor) og IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). CNTFET (Carbon Nanotube FET) som ble resultatet av utviklingen av nanoteknologi er det siste medlemmet av FET-familien.
Forskjellen mellom BJT og FET
1. BJT er i utgangspunktet en strømdrevet enhet, selv om FET anses som en spenningskontrollert enhet.
2. Terminaler til BJT er kjent som emitter, kollektor og base, mens FET er laget av gate, source og drain.
3. I de fleste av de nye applikasjonene brukes FET-er enn BJT-er.
4. BJT bruker både elektroner og hull for ledning, mens FET bruker bare én av dem og derfor referert til som unipolare transistorer.
5. FET-er er strømeffektive enn BJT-er.
