PROM vs EPROM
I elektronikk og databehandling er minneelementer avgjørende for å lagre data og hente dem etterpå. I de tidligste stadiene ble magnetbånd brukt som minne og med halvlederrevolusjonen ble også minneelementer utviklet basert på halvledere. EPROM og EEPROM er ikke-flyktige halvlederminnetyper.
Hvis et minneelement ikke kan beholde data etter at det er koblet fra strømmen, er det kjent som et flyktig minneelement. PROM-er og EPROM-er var banebrytende teknologier i ikke-flyktige minneceller (dvs. de er i stand til å beholde data etter at de er koblet fra strøm) som førte til utviklingen av moderne solid state-minneenheter.
Hva er PROM?
PROM står for Programmable Read Only Memory, en type ikke-flyktig minne opprettet av Weng Tsing Chow i 1959 på forespørsel fra US Air Force som et alternativ for minnet til Atlas E- og F ICBM-modeller ombord (luftbåren)) digital datamaskin. De er også kjent som One-Time Programmable Non-Volatile Memory (OTP NVM) og Field Programmable Read Only Memory (FPROM). For tiden er disse mye brukt i mikrokontrollere, mobiltelefoner, radiofrekvensidentifikasjonskort (RFID), HDMI (High Definition Media Interfaces) og videospillkontrollere.
Data skrevet på en PROM er permanent og kan ikke endres; derfor brukes de ofte som statisk minne, for eksempel fastvare for enheter. Tidlige datamaskin-BIOS-brikker var også PROM-brikker. Før programmering har brikken bare biter med verdien én "1". I programmeringsprosessen blir bare nødvendige biter konvertert til null "0" ved å blåse ut hver sikringsbit. Når brikken er programmert, er prosessen irreversibel; derfor er disse verdiene uforanderlige og permanente.
Basert på produksjonsteknologien kan data programmeres på wafer-, slutttest- eller systemintegrasjonsnivåer. Disse programmeres ved hjelp av en PROM-programmerer som sprenger sikringene til hver bit ved å legge på en relativt stor spenning for å programmere brikken (vanligvis 6V for 2nm tykt lag). PROM-celler er forskjellige fra ROM-er; de kan programmeres selv etter produksjon, mens ROM-er kun kan programmeres ved produksjon.
Hva er EPROM?
EPROM står for Erasable Programmable Read Only Memory, også en kategori av ikke-flyktige minneenheter som kan programmeres og også slettes. EPROM ble utviklet av Dov Frohman hos Intel i 1971 basert på etterforskningen av defekte integrerte kretser der portforbindelsene til transistorene hadde brutt.
En EPROM-minnecelle er en stor samling av flytende port-felteffekttransistorer. Data (hver bit) skrives på individuelle felteffekttransistorer inne i brikken ved hjelp av en programmerer som lager kildeavløpskontakter inne. Basert på celleadresse lagrer en bestemt FET data og spenninger som er mye høyere enn de normale driftsspenningene for den digitale kretsen som brukes i denne operasjonen. Når spenningen fjernes, blir elektronene fanget i elektrodene. På grunn av sin svært lave ledningsevne bevarer silisiumdioksid (SiO2) isolasjonslaget mellom portene ladningen i lange perioder, og beholder dermed minnet i ti til tjue år.
En EPROM-brikke blir slettet ved eksponering for sterke UV-kilder, for eksempel en kvikksølvdamplampe. Sletting kan gjøres ved å bruke et UV-lys med en bølgelengde kortere enn 300nm og eksponere i 20-30 minutter på nært hold (<3cm). For dette er EPROM-pakken bygget med et smeltet kvartsvindu som eksponerer silisiumbrikken for lyset. Derfor er en EPROM lett identifiserbar fra dette karakteristiske smeltede kvartsvinduet. Sletting kan også gjøres ved hjelp av røntgenstråler.
EPROMs brukes i utgangspunktet som statiske minnelagre i store kretser. De ble mye brukt som BIOS-brikker i hovedkort for datamaskiner, men de er erstattet av nye teknologier som EEPROM, som er billigere, mindre og raskere.
Hva er forskjellen mellom PROM og EPROM?
• PROM er den eldre teknologien mens både PROM og EPROM er ikke-flyktige minneenheter.
• PROM-er kan bare programmeres én gang mens EPROM-er er gjenbrukbare og kan programmeres flere ganger.
• Prosessen i programmeringen av PROMS er irreversibel; derfor er minnet permanent. I EPROM-er kan minnet slettes ved eksponering for UV-lys.
• EPROM-er har et smeltet kvartsvindu i emballasjen for å tillate dette. PROMs er innelukket i komplett plastemballasje; derfor har UV ingen effekt på PROMs
• I PROM-er skrives/programmeres data på brikken ved å blåse sikringene ved hver bit ved å bruke mye høyere spenninger enn gjennomsnittsspenningen som brukes i digitale kretser. EPROMS bruker også høyspenning, men ikke nok til å endre halvlederlaget permanent.
